DHIP系列 射頻ICP薄膜沉積裝置銷售【上海雙旭】
上海雙旭DHIP系列射頻ICP薄膜沉積裝置
產(chǎn)品概述
DHIP系列是由上海雙旭電子有限公司研發(fā)生產(chǎn)的射頻感應耦合等離子體（ICP）薄膜沉積裝置。該設備利用高頻電磁場激發(fā)產(chǎn)生高密度、低損傷的等離子體，廣泛應用于半導體、微電子、光學鍍膜、材料科研等領域的精密薄膜沉積工藝。
核心產(chǎn)品參數(shù)
- 等離子體源類型：射頻感應耦合等離子體（ICP）源
- 射頻功率：通常范圍 500W ~ 3000W（可定制），13.56MHz標準頻率
- 真空腔體：不銹鋼或鋁合金材質，尺寸可定制（如Φ300mm×H300mm或更大）
- 極限真空：≤6.67×10-5 Pa（5×10-7 Torr）
- 工作氣壓范圍：0.1 Pa ~ 10 Pa（可調）
- 基片臺：可配備加熱、偏壓及旋轉功能，溫度范圍可達室溫~600℃（或更高）
- 氣路系統(tǒng)：多路質量流量計（MFC）可控進氣，管路經(jīng)鈍化處理
- 控制系統(tǒng)：PLC+觸摸屏人機界面，可實現(xiàn)自動流程控制與工藝參數(shù)存儲
- 可選配置：光學膜厚監(jiān)控、朗繆爾探針、質譜儀等在線監(jiān)測系統(tǒng)
主要特點
- 高密度等離子體，薄膜沉積速率高，薄膜質量致密均勻。
- 離子能量可獨立調控，實現(xiàn)低損傷沉積，適用于敏感基底。
- 系統(tǒng)兼容性強，可沉積SiO2、SiNx、DLC、金屬及化合物等多種薄膜。
- 模塊化設計，便于維護和功能擴展。
- 提供工藝開發(fā)支持，可根據(jù)客戶需求進行定制化設計。
使用注意事項
- 安全操作：設備涉及高電壓、射頻輻射及真空系統(tǒng)，操作人員必須經(jīng)過專業(yè)培訓，并嚴格遵守電氣安全與真空操作規(guī)范。
- 環(huán)境要求：設備應安裝在潔凈、低震動、溫濕度受控的實驗室或車間環(huán)境，保證供電穩(wěn)定及冷卻水暢通。
- 氣體與源材料：使用高純度工藝氣體（如Ar、N2、O2、SiH4等），部分氣體具有毒性或腐蝕性，需確保氣路密封良好并配備專用排風與尾氣處理裝置。
- 維護保養(yǎng)：定期檢查真空泵油狀態(tài)、密封件完好度，并按規(guī)定周期清洗反應腔室，以防止交叉污染，保證薄膜純度。
- 工藝開發(fā)：不同材料沉積工藝參數(shù)（功率、氣壓、氣體比例、溫度等）差異顯著，需進行充分的工藝實驗以優(yōu)化結果。
- 售后服務：設備出現(xiàn)異常時，應立即停機并聯(lián)系【上海雙旭】專業(yè)技術人員，切勿自行拆卸核心部件（如射頻匹配器、等離子體源）。
銷售與技術支持：上海雙旭電子有限公司提供全面的設備銷售、安裝調試、工藝培訓及售后維護服務。具體型號配置、價格及交貨期請直接咨詢公司銷售部門。 |
